1、近年来，作为冷却元件，利用热电效应的新的固体冷却元件以及冷却系统备受瞩目，其研究开发在广泛地进行。与使用了作为温室效应气体的制冷剂的现有的冷却系统相比较，具有不需要制冷剂且高效以及低功耗这样的优点，此外，因为不使用压缩机，所以还具有安静这样的优点。为了得到优异的热电效应，需要是如下的铁电体，即，在所希望的温度区域示出一次相变，并且能够施加大的电场，作为最有希望的材料，已知有pbsc0.5ta0.5o3(以下，也将包含pb、sc以及ta的陶瓷称为“pst”)。例如，在非专利文献1～3中，提到了pbsc0.5ta0.5o3示出大的热电效应。
2、在先技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：国际公开第2021/131142号
5、非专利文献
6、非专利文献1：naturevolume575,第468-472页(2019)
7、非专利文献2：ferroelectrics,184,239(1996)
8、非专利文献3：j.am.ceram.soc,78[71]1947-52(1995)
技术实现思路
1、发明要解决的问题
2、对于固体冷却元件，要求在与其用途相应的温度下示出大的热电效应。例如，在将固体冷却元件用于冰箱等的情况下，有时要求在4℃以下示出大的热电效应。
3、然而，以往的pst虽然在20℃以上示出大的热电效应，但是在低温下热电效应显著地下降，在低温下作为固体冷却元件使用，存在问题。
4、如果pst的耐电压提高，则能够施加大的电压，热电效应提高。此外，作为pst的b位的阳离子的sc以及ta的有序度越高，则越能够得到优异的铁电体特性，越能够提高热电效应。将pb的一部分部分置换为na的pst能够提高耐电压，从而能够施加高电压，此外，能够将铁电体转变温度控制在20℃以下，除此以外，能够容易地提高b位的有序度，因此改善了低温下的热电效应，但是其效果有限，希望进一步的改善。
5、本公开的目的在于，提供一种与以往相比在低温下示出大的热电效应的陶瓷。
6、用于解决问题的技术方案
7、本公开涉及一种陶瓷，由式(1)表示，
8、(1-m)pbsc0.5-xta0.5+xo3-mpbmg0.5-yw0.5+yo3(1)
9、[在式(1)：中，
10、m满足0.03≤m≤0.60，
11、在0≤x、0≤y的情况下，满足x≤0.1、y≤0.1且0≤x+y≤0.13，
12、在0>x、0≤y的情况下，满足-0.1≤x<0且0≤y≤0.1，
13、在0≥x、0>y的情况下，满足-0.1≤x、-0.1≤y且-0.13≤x+y<0，
14、在0 15、本公开包含以下的方式。 16、[1]一种陶瓷，由式(1)表示， 17、(1-m)pbsc0.5-xta0.5+xo3-mpbmg0.5-yw0.5+yo3(1) 18、[在式(1)中， 19、m满足0.03≤m≤0.60， 20、在0≤x、0≤y的情况下，满足x≤0.1、y≤0.1且0≤x+y≤0.13， 21、在0>x、0≤y的情况下，满足-0.1≤x<0且0≤y≤0.1， 22、在0≥x、0>y的情况下，满足-0.1≤x、-0.1≤y且-0.13≤x+y<0， 23、在0 24、[2]根据上述[1]所述的陶瓷，其中， 25、在所述式中， 26、在0≤x、0≤y的情况下，满足0≤x+y≤0.1， 27、在0≥x、0>y的情况下，满足-0.1≤x+y<0。 28、[3]根据上述[1]或[2]所述的陶瓷，其中， 29、在所述式中，x为0，y为0。 30、[4]根据上述[1]～[3]中的任一项所述的陶瓷，其中， 31、在所述式中，m满足0.05≤m≤0.5。 32、[5]根据上述[1]～[4]中的任一项所述的陶瓷，其中， 33、所述陶瓷的晶体构造具有钙钛矿构造。 34、[6]一种热电效应元件，交替地层叠有贵金属电极和上述[1]～[5]中的任一项所述的陶瓷。 35、[7]根据上述[6]所述的热电效应元件，其中， 36、所述贵金属电极由pt形成。 37、[8]一种电子部件，构成为具有上述[6]或[7]所述的热电效应元件。 38、[9]一种电子设备，构成为具有上述[6]或[7]所述的热电效应元件或者上述[8]所述的电子部件。 39、发明效果 40、根据本公开，能够提供一种在低温下示出大的热电效应的陶瓷。更具体地，能够提供一种即使在0℃以下也示出大的热电效应的陶瓷。 1.一种陶瓷，由式(1)表示， 2.根据权利要求1所述的陶瓷，其中， 3.根据权利要求1或2所述的陶瓷，其中， 4.根据权利要求1～3中的任一项所述的陶瓷，其中， 5.根据权利要求1～4中的任一项所述的陶瓷，其中， 6.一种热电效应元件，交替地层叠有贵金属电极和权利要求1～5中的任一项所述的陶瓷。 7.根据权利要求6所述的热电效应元件，其中， 8.一种电子部件，构成为具有权利要求6或7所述的热电效应元件。 9.一种电子设备，构成为具有权利要求6或7所述的热电效应元件或者权利要求8所述的电子部件。