MOSFET的动态参数指标检测资讯

MOS管容性参数包含：输入电容（CISS）、输出电容（COSS）、反向传输电容（CRSS）。

图3：MOS管寄生电容等效电路

输入电容（CISS）

输入电容是栅极与源极、漏极之间的总电容，由栅源电容（CGS）和栅漏电容(CGD)并而成，即CISS=CGS+CGD。将漏-源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容，表示当外部施加电压时所需要的电荷量。

输入电容影响MOS管的开关速度，当输入电容充电至阀值电压时，MOS管才能开启，而放电至一定值时，器件才能关断，驱动电路和CISS电容对MOS管的开启和关断延时有着直接影响。输入电容越小、Qg(on)越小、开关速度越快，开关损耗越小。

输出电容（COSS）

输出电容是漏极与源极之间的总电容，由漏源电容（CDS）和栅漏电容（CGD）并联，即COSS=CDS+CGD。将栅-源短接，用交流信号测得的漏极和源极之间的电容就是输出电容，在软开关的应用中，COSS非常重要，它可能引起电路的谐振。

反向传输电容（CRSS）

【重要知识点】

3、驱动电荷参数

驱动电荷是指MOS管开关过程中所需电荷的数量：包括总的驱动电荷（QG）、栅极-源极充电电荷（QGS）、栅极-漏极充电电荷（QGD）。QG决定着栅极峰值电流及驱动损耗，QGD相当于米勒电容CRSS，依存电源电压VDS，影响开关特性；高频（f≥100kHZ）应用中，若Ron*Qg和Ron*Qgd的积越小，器件的性能就越高。

图4：栅源电压和栅电荷的函数曲线

跨导（Gm）

是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度，Gm与VGS的转移关系参考MOS管的转移特性曲线性。MOS管的增益，电导G是电阻R的倒数，而跨导则指输出端电流变化与输入端电压变化间的比值。

跨导由沟道的长度与宽度比、栅极氧化物厚度所决定；VGS达VTH后，Gm随着漏极电流而显著增大，并且在漏极电流达到一个确定值之后成为一个常数；如果Gm足够大，较小的栅极驱动电压就能处理很大的漏极电流；由于在高温时迁移率的降低，Gm随着温度的升高而减小。

跨导的影响仅仅是在开关过渡过程中显现出来，但会影响EMI和开关损耗。