NTC是NegativeTemperatureCoefficient的缩写,意思是负的温度系数,泛指负温度系数很大的半导体材料或元器件，所谓NTC热敏电阻器就是负温度系数热敏电阻器。它是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成的。这些金属氧化物材料都具有半导体性质，因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料。温度低时，这些氧化物材料的载流子（电子和孔穴）数目少，所以其电阻值较高；随着温度的升高，载流子数目增加，所以电阻值降低。NTC热敏电阻器在室温下的变化范围在10O~1000000欧姆，温度系数-2%~-6.5%。NTC热敏电阻器可广泛应用于温度测量、温度补偿、抑制浪涌电流等场合。
华巨电子S-HModel计算方法-V1.0版本
零功率电阻值RT（Ω）
RT指在规定温度T时，采用引起电阻值变化相对于总的测量误差来说可以忽略不计的测量功率测得的电阻值。
电阻值和温度变化的关系式为：
RT=RNexpB(1/T–1/TN)
RT：在温度T（K）时的NTC热敏电阻阻值。RN：在额定温度TN（K）时的NTC热敏电阻阻值。T：规定温度（K）。B：NTC热敏电阻的材料常数，又叫热敏指数。exp：以自然数e为底的指数（e=2.71828…）。
该关系式是经验公式，只在额定温度TN或额定电阻阻值RN的有限范围内才具有一定的精确度，因为材料常数B本身也是温度T的函数。
额定零功率电阻值R25（Ω）
根据国标规定，额定零功率电阻值是NTC热敏电阻在基准温度25℃时测得的电阻值R25，这个电阻值就是NTC热敏电阻的标称电阻值。通常所说NTC热敏电阻多少阻值，亦指该值。
材料常数（热敏指数）B值（K）
B值被定义为：
RT1：温度T1（K）时的零功率电阻值。RT2：温度T2（K）时的零功率电阻值。T1，T2：两个被指定的温度（K）。
对于常用的NTC热敏电阻，B值范围一般在2000K～6000K之间。
零功率电阻温度系数（αT）
在规定温度下，NTC热敏电阻零动功率电阻值的相对变化与引起该变化的温度变化值之比值。
αT：温度T（K）时的零功率电阻温度系数。RT：温度T（K）时的零功率电阻值。T：温度（T）。B：材料常数。
耗散系数（δ）
在规定环境温度下，NTC热敏电阻耗散系数是电阻中耗散的功率变化与电阻体相应的温度变化之比值。
δ：NTC热敏电阻耗散系数，（mW/K）。△P：NTC热敏电阻消耗的功率（mW）。△T：NTC热敏电阻消耗功率△P时，电阻体相应的温度变化（K）。
额定功率Pn
在规定的技术条件下，热敏电阻器长期连续工作所允许消耗的功率。在此功率下，电阻体自身温度不超过其最高工作温度。
最高工作温度Tmax
在规定的技术条件下，热敏电阻器能长期连续工作所允许的最高温度。即:
T0-环境温度。
测量功率Pm
热敏电阻在规定的环境温度下，阻体受测量电流加热引起的阻值变化相对于总的测量误差来说可以忽略不计时所消耗的功率。一般要求阻值变化大于0.1%，则这时的测量功率Pm为：
电阻温度特性
NTC热敏电阻的温度特性可用下式近似表示：
式中：RT：温度T时零功率电阻值。A：与热敏电阻器材料物理特性及几何尺寸有关的系数。B：B值。T：温度（k）。更精确的表达式为：
式中：RT：热敏电阻器在温度T时的零功率电阻值。T：为绝对温度值，K；A、B、C、D：为特定的常数。
热敏电阻的电阻－温度特性可近似地用式1表示。(式1)R=Roexp{B(I/T-I/To)}
试根据电阻－温度特性表，求25°C时的电阻值为5(kΩ)，B值偏差为50(K)的热敏电阻在10°C～30°C的电阻值。
(1)根据电阻－温度特性表，求常数C、D、E。
(2)代入BT=CT2+DT+E+50，求BT。
(3)将数值代入R=5exp{(BTI/T-I/298.15)}，求R。*T:10+273.15～30+273.15
所谓电阻温度系数(α)，是指在任意温度下温度变化1°C(K)时的零负载电阻变化率。电阻温度系数(α)与B值的关系，可将式1微分得到。这里α前的负号(－)，表示当温度上升时零负载电阻降低。
散热系数(δ)是指在热平衡状态下，热敏电阻元件通过自身发热使其温度上升1°C时所需的功率。在热平衡状态下，热敏电阻的温度T1、环境温度T2及消耗功率P之间关系如下式所示。产品目录记载值为下列测定条件下的典型值。
在额定环境温度下，可连续负载运行的功率最大值。产品目录记载值是以25°C为额定环境温度、由下式计算出的值。(式)额定功率=散热系数×（最高使用温度－25）
最大运行功率=t×散热系数…(3.3)这是使用热敏电阻进行温度检测或温度补偿时，自身发热产生的温度上升容许值所对应功率。(JIS中未定义。)容许温度上升t°C时，最大运行功率可由下式计算。
B值相同，阻值不同的R-T特性曲线示意图
相同阻值，不同B值的NTC热敏电阻R-T特性曲线示意图
温度测量、控制用NTC热敏电阻器
外形结构
环氧封装系列NTC热敏电阻
玻璃封装系列NTC热敏电阻
应用电路原理图
温度测量（惠斯登电桥电路）
温度控制
应用设计
温度补偿用NTC热敏电阻器
产品概述
许多半导体和ICs有温度系数而且要求温度补偿，以在较大的温度范围中达到稳定性能的作用，由于NTC热敏电阻器有较高的温度系数，所以广泛应用于温度补偿。
主要参数
降功耗曲线：
应用原理及实例
为了避免电子电路中在开机瞬间产生的浪涌电流，在电源电路中串接一个功率型NTC热敏电阻，能有效的抑制开机时的浪涌电流，并在完成浪涌电流抑制作用后，由于通过其电流的持续作用，功率型热敏电阻的阻值将下降的一个非常小的程度，它消耗的功率可以忽略不计，不会对正常的工作电流造成影响，所以在电源回路中使用功率型NTC热敏电阻，是抑制开机浪涌电流保护电子设备免遭破坏的最为简便而有效的措施。
NTC热敏电阻电路，NTC温度传感器电路,NTC测温电路图-华巨电子
图1：热敏电阻器的电阻/温度曲线。
热敏电阻器
表1是一个典型的NTC热敏电阻器性能参数，这些数据是对
图2：热敏电阻测量温度的典型电路
热敏电阻进行量测得到的，但它也代表了NTC热敏电阻的总体情况。其中电阻值以一个比率形式给出(R/R25)，该比率表示当前温度下的阻值与25℃时的阻值之比，通常同一系列的热敏电阻器具有类似的特性和相同电阻/温度曲线。以表1中的热敏电阻系列为例，25℃时阻值为10KΩ的电阻，在0℃时电阻为28.1KΩ，60℃时电阻为4.086KΩ；与此类似，25℃时电阻为5KΩ的热敏电阻在0℃时电阻则为14.050KΩ。
图1是热敏电阻的温度曲线，可以看到电阻/温度曲线是非线性的。虽然这里的热敏电阻数据以10℃为增量，但有些热敏电阻可以以5℃甚至1℃为增量。如果想要知道两点之间某一温度下的阻值，可以用这个曲线来估计，也可以直接计算出电阻值，计算公式如下：
这里T指开氏绝对温度，A、B、C、D是常数，根据热敏电阻的特性而各有不同，这些参数由热敏电阻的制造商提供。
热敏电阻一般有一个误差范围，用来规定样品之间的一致性。根据使用的材料不同，误差值通常在1%至10%之间。有些热敏电阻设计成应用时可以互换，用于不能进行现场调节的场合，例如一台仪器，用户或现场工程师只能更换热敏电阻而无法进行校准，这种热敏电阻比普通的精度要高很多，也要贵得多。
图2是利用热敏电阻测量温度的典型电路。电阻R1将热敏电阻的电压拉升到参考电压，一般它与ADC的参考电压一致，因此如果ADC的参考电压是5V，Vref也将是5V。热敏电阻和电阻串联产生分压，其阻值变化使得节点处的电压也产生变化，该电路的精度取决于热敏电阻和电阻的误差以及参考电压的精度。
◆自热问题
◆
图2：热敏电阻测量温度的典型电路。
由于热敏电阻是一个电阻，电流流过它时会产生一定的热量，因此电路设计人员应确保拉升电阻足够大，以防止热敏电阻自热过度，否则系统测量的是热敏电阻发出的热，而不是周围环境的温度。
热敏电阻消耗的能量对温度的影响用耗散常数来表示，它指将热敏电阻温度提高比环境温度高1℃所需要的毫瓦数。耗散常数因热敏电阻的封装、管脚规格、包封材料及其它因素不同而不一样。
系统所允许的自热量及限流电阻大小由测量精度决定，测量精度为±5℃的测量系统比精度为±1℃测量系统可承受的热敏电阻自热要大。
图3：对热敏电阻进行标定。
应注意拉升电阻的阻值必须进行计算，以限定整个测量温度范围内的自热功耗。给定出电阻值以后，由于热敏电阻阻值变化，耗散功率在不同温度下也有所不同。
有时需要对热敏电阻的输入进行标定以便得到合适的温度分辨率，图3是一个将10～40℃温度范围扩展到ADC整个0～5V输入区间的电路。运算放大器输出公式如下：
◆累积误差
用热敏电阻测量温度时，在输入电路中要选择好传感器及其它元件，以便和所需要的精度相匹配。有些场合需要精度为1%的电阻，而有些可能需要精度为0.1%的电阻。在任何情况下都应用一张表格算出所有元件的累积误差对测量精度的影响，这些元件包括电阻、参考电压及热敏电阻本身。
如果要求精度高而又想少花一点钱，则需要在系统构建好后对它进行校准，由于线路板及热敏电阻必须在现场更换，所以一般情况下不建议这样做。在设备不能作现场更换或工程师有其它方法监控温度的情况下，也可以让软件建一张温度对应ADC变化的表格，这时需要用其它工具测量实际温度值，软件才能创建相对应的表格。对于有些必须要现场更换热敏电阻的系统，可以将要更换的元件(传感器或整个模拟前端)在出厂前就校准好，并把校准结果保存在磁盘或其它存储介质上，当然，元件更换后软件必须要能够知道使用校准后的数据。
图4：RTD与热敏电阻的电阻/温度曲线的比较。
总的来说，热敏电阻是一种低成本温度测量方法，而且使用也很简单，下面我们介绍电阻温度探测器和热电偶温度传感器。
电阻温度探测器
电阻温度探测器(RTD)实际上是一根特殊的导线，它的电阻随温度变化而变化，通常RTD材料包括铜、铂、镍及镍/铁合金。RTD元件可以是一根导线，也可以是一层薄膜，采用电镀或溅射的方法涂敷在陶瓷类材料基底上。
RTD的电阻值以0℃阻值作为标称值。0℃100Ω铂RTD电阻在1℃时它的阻值通常为100.39Ω，50℃时为119.4Ω，图4是RTD电阻/温度曲线与热敏电阻的电阻/温度曲线的比较。RTD的误差要比热敏电阻小，对于铂来说，误差一般在0.01%，镍一般为0.5%。除误差和电阻较小以外，RTD与热敏电阻的接口电路基本相同。
热电偶
热电偶由两种不同金属结合而成，它受热时会产生微小的电压，电压大小取决于组成热电偶的两种金属材料，铁-康铜(J型)、铜-康铜(T型)和铬-铝(K型)热电偶是最常用的三种。
图5：热点偶温度测量接口电路。
热电偶产生的电压很小，通常只有几毫伏。K型热电偶温度每变化1℃时电压变化只有大约40μV，因此测量系统要能测出4μV的电压变化测量精度才可以达到0.1℃。
由于两种不同类型的金属结合在一起会产生电位差，所以热电偶与测量系统的连接也会产生电压。一般把连接点放在隔热块上以减小这一影响，使两个节点处以同一温度下，从而降低误差。有时候也会测量隔热块的温度，以补偿温度的影响(图5)。
测量热电偶电压要求的增益一般为100到300，而热电偶撷取的噪声也会放大同样的倍数。通常采用测量放大器来放大信号，因为它可以除去热电偶连线里的共模噪声。市场上还可以买到热电偶信号调节器，如模拟器件公司的AD594/595，可用来简化硬件接口。
固态热传感器
最简单的半导体温度传感器就是一个PN结，例如二极管或晶体管基极-发射极之间的PN结。如果一个恒定电流流过正向偏置的硅PN结，正向压降在温度每变化1℃时会降低1.8mV。很多IC利用半导体的这一特性来测量温度，包括美信的MAX1617、国半的LM335和LM74等等。半导体传感器的接口形式多样，从电压输出到串行SPI/微线接口都可以。
温度传感器种类很多，通过正确地选择软件和硬件，一定可以找到适合自己应用的传感器。
以下推荐几款村田NTC热敏电阻测温电路：
下图为使用MF72热敏电阻前后浪涌电流得比较曲线图，虚线为使用热敏电阻前，实线为使用热敏电阻后。
随着电子产品对可靠性要求的不断提高和能源资源的日益紧缩，高可靠性和高效节能的电子产品将是未来电子产品发展的一个方向，因此在产品的电源设计上，必须要充分考虑其可靠性能和电源使用效率。本文首先分析电子产品为什么会有开机浪涌，然后以典型的电源电路为例分析如何使用热敏电阻抑制浪涌电流，最后介绍热敏电阻在实际应用中应如何选型。开机浪涌电流产生的原因图1是典型的电子产品电源部分简化电路，C1是与负载并联的滤波电容。在开机上电的瞬间，电容电压不能突变，因此会产生一个很大的充电电流。根据一阶电路零状态响应模型所建立的一阶线性非齐次方程可以求出其电流初始值相当于把滤波电容短路而得到的电流值。这个电流就是我们常说的输入浪涌电流，它是在对滤波电容进行初始充电时产生的，其大小取决于启动上电时输入电压的幅值以及由桥式整流器和电解电容其所形成的回路的总电阻。
图4降功耗曲线对曲线a，允许的最大持续工作电流可用以下公式表示：
对曲线b，允许的最大持续工作电流可用以下公式表示：
事实上，不少生产厂家都对自己的产品定义了环境温度类别，在实际应用中，应尽量使NTC热敏电阻工作的环境温度不超出厂家规定的上/下限温度。同时，应注意不要使其工作在潮湿的环境中，因为过于潮湿的环境会加速NTC热敏电阻的老化。
下图为MF72-3D25的R-T阻温特性曲线
这种NTC抑制浪涌电路也有缺点，例如，当关断电源后快速重启动时，热敏电阻还未完全冷却，会丧失部分浪涌抑制功能，这也就是为何短暂地关掉又开启电源是有害操作的原因。另外因为NTC热敏电阻在环境温度高的时候阻值会比较低，不一定能起到很好的浪涌抑制效果，比如25摄氏度时阻值为10欧的NTC热敏电阻到了环境温度-10摄氏度时阻值有34欧太大了，环境温度60摄氏度时只有3欧左右阻值太小了不能很好的抑制开机浪涌电流。这种情况下可以采用浪涌抑制型PTC热敏电阻加继电器组合很好的替代NTC热敏电阻，这是因为PTC热敏电阻在居里温度以下阻值变化不大，能够很好的抑制开机浪涌电流，开机时电源通过PTC给后级电容上电充电，PTC热敏电阻起到浪涌电流抑制的作用，一旦电容充电完成，继电器把PTC热敏电阻短接，电流直接通过继电器给后级供电，PTC热敏电阻处于不工作状态，所以电源重启是PTC热敏电阻随即即可投入使用，不会丧失浪涌抑制功能，另外在后级电路短路的情况下浪涌抑制型PTC热敏电阻由于带有自保护功能，这时浪涌抑制型PTC热敏电阻又可以起到保险丝的作用，切断电路保护设备防止事故进一步扩大。其电路图如下图所示。
单个浪涌抑制型PTC热敏电阻后级最大允许电容量按照以下公式计算
C:滤波电容.
Tc:PTC的居里温度Ta:环境温度
Cth：浪涌抑制型PTC热敏电阻的热容量
V:电容器两端最高充电电压,电源电压为交流电，V是交流电的峰值。
K系数直流DC时K=1三相交流电整流时K=0.96单相桥式整流时K=0.76