联想服务器在UEFIHII界面中配置阵列的基本操作

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2023.04.20江苏

重要提示:配置阵列时请谨慎操作,并仔细阅读各种提示,以防误操作导致数据损失。

内容导航

一、进入阵列卡配置界面并查看硬盘状态

二、创建RAID0/1/5/6阵列

三、创建RAID10阵列

四、创建分卷的RAID5阵列

五、设置热备盘及手动替换已故障的硬盘重建阵列

六、重新初始化阵列

七、修改阵列缓存策略等参数

八、配置CacheCade(SSD缓存加速)

九、设置JBOD(单盘直通)模式

十、导入和清除外来阵列

十一、修复掉线的硬盘

十二、删除阵列

十三、清空阵列配置

十四、查看阵列卡缓存大小及电池状态

十五、阵列在线扩容及阵列级别在线迁移

十六、阵列卡固件刷新

联想各系列服务器的UEFIHIISASRAID阵列配置界面有所不同,但操作步骤一致。有少数操作方式略有区别,详见以上联想知识库文档中有关硬盘选择操作及确认操作的说明。

本文以ThinkSystem系列服务器文字界面及Systemx系列服务器UEFIHII阵列配置界面为例。

进入SASRAID阵列配置界面后,首先是Dashboard界面,其中会显示:

"Status",即SASRAID卡状态,正常情况下是"Optimal";

"BBU",即备份单元状态,如阵列卡配备有电池(BBU)或者超级电容(CVM)的即会显示"Yes",否则是"No";

"Drivers",即硬盘数量;

"VirtualDrives",即RAID卷数量等状态信息。

(注意:部分旧型号SASRAID卡及旧版本固件没有Dashboard界面,Dashboard界面中的关键信息体现在MainMenu中的ControllerManagement中。)

向下翻页,在"MegaRAIDADVANCEDSOFTWAREOPTIONS"会显示RAID卡已激活的功能,例如下图所示的:

MegaRAIDRAID6,即RAID6功能;

MegaRAIDRAID5,即RAID5功能;

MegaRAIDSafeStore,即数据保护功能;

MegaRAIDFastPath,即SSD增强功能;

MegaRAIDCacheCade2.0,即SSD缓存功能;

MegaRAIDCacheCadePro2.0,即高级SSD缓存功能。

注意:如未激活对应功能,此处则不会有项目显示。

从Dashboard进入MainMenu即是RAID配置主界面,有5个项目。

"ConfigurationManagement"是配置RAID设置

"ControllerManagement"是对SASRAID控制器进行设置

"VirtualDriveManagement"是查看、调整RAID设置

"DriveManagement"是查看、调整硬盘设置

"HardwareComponents"是查看、调整RAID卡部件设置

先确认硬盘状态是否为可用状态。进入"DriveManagement",确认当前界面是否出现所有硬盘,且硬盘状态都是"UnconfiguredGood"状态。

注意:

1、只有UnconfiguredGood状态的硬盘才能配置RAID,Online状态表示该盘已在某个阵列中,JBOD状态表示该盘为单盘直通模式,UnconfiguredGood状态与JBOD状态的相互转换请看下文“设置JBOD模式”一节;

3、如果硬盘是"UnconfiguredBad"状态,说明硬盘有异常。若硬盘容量识别正常,或者能确认是因为误操作所致,请按照下文“修复掉线的硬盘”一节进行操作。若已无法正确识别硬盘容量,建议重新插拔再识别硬盘,无效则硬盘已经故障,请及时更换。

本节介绍8块硬盘先创建一组RAID1阵列再创建一组RAID5阵列。

进入阵列卡配置主界面,进入"ConfigurationManagement"。

再进入"CreateVirtualDrive",创建一个阵列。

"SelectRAIDLevel"选择RAID1。

注意:RAID5等RAIDLevel需要阵列卡硬件支持或者激活相应功能,亦需要可配置硬盘数量满足最低要求,否则不会出现相应RAID级别。

进入"SelectDrivers"以选择要加入阵列的硬盘。

选中2块硬盘,然后选择"ApplyChanges"。

1、不同机型的硬盘选择操作方式有区别,请查看对应机型关于硬盘选择操作的说明;

2、不同RAIDLevel有不同的硬盘数量要求,如RAID1只能有2块硬盘,RAID5至少需要3块硬盘,RAID6至少需要4块硬盘,RAID10至少需要4块硬盘且为偶数;

3、如果使用SSD(固态硬盘)配置阵列,需要将"SelectMediaType"选项改为"SSD"。请勿将机械硬盘和固态硬盘加入同一组RAID阵列;

4、由于"SelectInterfaceType"默认值为"Both",在选择硬盘时可以看到SAS接口硬盘和SATA接口硬盘,但不要在同一组RAID阵列中同时选取SAS接口硬盘和SATA接口硬盘。

告知操作已顺利执行,OK继续。

回到创建阵列界面,可以对"VirtualDriveSize"进行修改以调整RAID卷大小。如果上一步"SelectDrives"配置有误,则此处不会显示数值也无法修改;如需给阵列分卷,则在这里按回车键并输入所需大小,详见“创建分卷的RAID5阵列”一节。

全新建立的阵列,建议将"DisableBackgroundInitialization"设置为"Yes",并将"DefaultInitialization"设置为"Fast",进行快速初始化,用以清空阵列及硬盘上的数据。

注意:如果是尝试修复误删除的阵列(卷),请保持"DefaultInitialization"为默认的"No"。

注意:如果将"DefaultInitialization"设置为"Full"会进行慢速全盘初始化,慢速初始化过程中阵列可能无法使用,故不建议选择此项。

其他项目一般不需要进行调整。如要调整其他项目,请阅读下文“修改阵列缓存策略等参数”一节,并根据实际需求进行操作。

注意:部分参数,如"StripSize"条带尺寸在创建阵列后不可修改。

选择"SaveConfiguration"保存RAID配置。

选择"SaveConfiguration"后会出现确认操作,提示会抹除硬盘上已有的数据,"Confirm"确认后,再选择"Yes"继续。

提示操作已顺利执行,"OK"完成。

由于还有"UnconfiguredGood"状态的硬盘,此时会自动返回到"CreateVirtualDrive"界面。继续创建下一组RAID5阵列。

"SelectRAIDLevel"选择"RAID5"。

进入"SelectDrives",选中要加入RAID5阵列的硬盘,然后选择"ApplyChanges"并确认操作完成。

注意:如果要全选所有硬盘可以选择"CheckAll"。

检查"VirtualDriveSize"大小,并设置"DisableBackgroundInitialization"为"Yes"及"DefaultInitialization"为"Fast"。其他项目同之前创建RAID1时。

检查无误后选择"SaveConfiguration",然后确认操作,完成阵列创建。

返回阵列卡配置主界面,进入"VirtualDriveManagement"查看已创建好的阵列。

确认新建的VirtualDrive状态为"Optimal"即状态正常。

接下来设置RAID卷为启动设备。返回阵列卡配置主界面,进入"ControllerManagement",设置"SelectBootDevice"为要安装操作系统的RAID卷,如刚刚创建的"VirtualDrive0"。修改完成后即生效。

注意:"SelectBootDevice"默认值可能为"None",如未设置正确可能导致安装操作系统后无法正常引导启动操作系统。

本节介绍8块硬盘创建一组RAID10阵列。

请先阅读上一节“创建RAID0/1/5/6阵列”,本节只介绍与上一节有区别的部分。

"SelectRAIDLevel"选择"RAID10"。

注意:RAID10要求至少4块硬盘组成,若可用硬盘数量不满足要求则RAID10选项不可选。

选择在"Span1:"下一行的"SelectDrivers"。

选取2块硬盘后选择"ApplyChanges"并确认。

RAID10可以视为由2组以上的RAID1再组成的RAID0,所以要将硬盘两两分组。

检查"Span1"中有2块硬盘,再选择"AddMoreSpans"添加一组Span。

选择在"Span2:"下一行的"SelectDrivers"。

再选取2块硬盘后选择"ApplyChanges"并确认。

后续操作步骤相同,直到将全部8块硬盘分4组Span全部添加。

检查"VirtualDriveSize"显示正确大小。如需给阵列分卷,则在这里按回车键并输入所需大小,参照“创建分卷的RAID5阵列”一节。

设置"DisabledBackgroundInitialization"为"Yes",设置"DefaultInitialization"为"Fast"。

检查设置正确后,选择"SaveConfigutation"并确认操作完成。

返回阵列配置主界面,进入"VirtualDriveManagement"中查看已创建RAID10阵列的状态是否为"Optimal"。再进入"ControllerManagement"中将"SelectBootDevice"修改为此RAID10阵列。

本节介绍8块硬盘创建分为2卷的RAID5阵列。

请先阅读第二节“创建RAID0/1/5/6阵列”,本节只介绍有区别的部分。

先创建一组RAID5阵列,选取硬盘以后检查"VirtualDriveSize"及"VirtualDriveSizeUnit"。

根据实际情况修改"VirtualDriveSize"及"VirtualDriveSizeUnit"。

本节中创建第一卷为200GB,先设置"VirtualDriveSizeUnit"为"GB"。

在"VirtualDriveSize"上按回车,在输入框中输入第一卷的大小。

检查第一卷的大小无误,设置"DisabledBackgroundInitialization"为"Yes",设置"DefaultInitialization"为"Fast"。

由于还有未分配的容量,此时会自动返回到"CreateVirtualDrive"界面。继续创建下一卷。

"SelectRAIDLevel"选择"RAID5",设置"SelectDrivesFrom"为"FreeCapacity"。

进入"SelectDriveGroups"以选择有剩余容量的阵列。

选中之前创建尚有剩余容量的DriveGroup,然后选择"ApplyChanges",并确认操作完成。

检查剩余容量无误。如有需要还可以再分卷,操作相同。

返回阵列配置主界面,进入"VirtualDriveManagement"中查看已创建的2卷RAID5阵列的状态是否为"Optimal"。再进入"ControllerManagement"中将"SelectBootDevice"修改为此第一卷RAID5阵列。

本节介绍设置热备盘和去除热备盘。

设置热备盘操作在阵列状态正常时为设置热备盘,在阵列处于降级状态(Degrade)时为手动重建阵列。

在阵列卡配置主界面进入DriveManagement,选择1块状态为UnconfiguredGood状态的硬盘。

在"Operation"中选择"AssignGlobalHotSpareDrive"设置全局热备盘或者"AssignDedicatedHotSpareDisk"设置专用热备盘。

全局热备是指此阵列卡上有任何阵列降级时该盘都会进行重建;专用热备会将该盘分配给特定的阵列,只有特定阵列降级时该盘才会进行重建。当阵列卡上有多组阵列或者有不同型号的硬盘分别组成阵列时,推荐设置专用热备。

然后在下一行出现的"Go"上按回车键。

若设置为专用热备,则会要求选中用于热备的阵列,按"OK"继续。

若设置为全局热备,则会提示可能会有不兼容的情况,确认后继续。

告知操作顺利完成,"OK"继续。

返回阵列卡配置主界面再进入"DriveManagement"即可看到该盘已经是"HotSpare"状态了,如果分配到处于"Degrade"状态的阵列,则该盘会进行"Rebuild"重建。

如果要去除热备盘,先选中热备盘,在"Operation"中选择"UnassignHotSpareDrive"移除热备。

在下一行出现的"Go"上按回车键。

会提示确认移除热备盘,在"Confirm"处确认后选"Yes",然后会提示操作顺利完成,"OK"继续。

如果在创建阵列时没有选择执行初始化操作,或者保持已有阵列但需要清空其中的数据,都可以在阵列卡配置主界面"VirtualDriveManagement"里对阵列进行初始化.

选择要执行初始化的VirtualDrive。

在"Operation"选项中选择"FastInitialization"执行快速初始化。

"SlowInitialization"即慢速初始化,与创建阵列时设置"DefaultInitialization"为"Full"相同,都是用特定数据覆写整个阵列。完全初始化会彻底检测硬盘状况并抹除全部数据,故耗时较长,在此过程中可能无法正常使用阵列,一般只在阵列或者硬盘出现异常时使用。

会提示阵列上的数据将被抹除,确认继续,快速初始化一般数秒钟即可完成,慢速初始化可能需要数小时才能完成,会在"VirtualDriveManagement"界面显示操作进度。

对已有的阵列和卷,可以在"VirtualDriveManagement"中修改阵列缓存策略等参数。

如用于Systemx系列服务器的ServeRAIDM5210阵列卡加配缓存模块或者闪存+超级电容套件后,可以在"VirtualDriveManagement"中修改阵列缓存策略等参数以提升性能。

选择要修改缓存策略的VirtualDrive。

进入"Advanced..."页面。

修改"DefaultWriteCachePolicy"为"WriteBack",调整写入缓存策略为回写模式。

在此页面也可以修改其他参数,部分参数只能在创建阵列时定义,无法后期修改。

"SegmentSize"(即创建阵列时的"StripSize"),数据条带尺寸,用以调整分布在各个硬盘上的数据块单元尺寸。若阵列做存储用途可以调大,若做数据库类用途可以调小。调整此项可能会影响阵列性能。如果无特殊需求,则无需调整此项。此项在阵列创建后无法修改。

"Access"(即创建阵列时的"AccessPolicy"),访问策略。当设置为"Read/Write"时,此卷可以被读取和写入,此为默认值。当设置为"ReadOnly"时,此卷只能被读取不可写入。当设置为"Blocked"时,此卷无论读写都不可被访问。

"DefaultWriteCachePolicy"(即创建阵列时的"WritePolicy"),写入缓存策略,仅当阵列卡配备有缓存时才可修改,否则固定为"WriteThrough"。当设置为"WriteThrough"(直写)时,数据最终写入硬盘介质时才反馈写入完成,当阵列卡未配备有缓存时此项为默认值。当设置为"WriteBack"(回写)且阵列卡配备有备份单元(电池)时数据写入到阵列卡缓存时即反馈写入完成,此模式会提升阵列性能,当阵列卡配备有缓存时此项为默认值;但若未配备备份单元时会以"WriteThrough"模式操作。当设置为"AlwaysWriteBack"(强制回写)时,不论缓存是否有备份单元(电池)都开启回写模式,此模式在服务器遇到意外停电时有较大数据丢失风险,请谨慎选用。

"ReadCachePolicy"(即创建阵列时的"ReadPolicy"),读取缓存策略,仅当阵列卡配备有缓存时才可修改,否则固定为"NoReadAhead"。当设置为"NoReadAhead"时,阵列卡不会进行预读操作,此为固态硬盘所组阵列的默认设置。当设置为"ReadAhead"时,阵列卡会自动将主机所请求数据顺序后的数据预先读取到缓存中,可一定提升连续读取性能,但对随机读取性能没有明显提升,此为机械硬盘所组阵列的默认设置。

"DriveCache",硬盘缓存策略。当设置为"Disable"时,硬盘缓存被禁用,此为默认设置。当设置为"Enable"时,启用硬盘缓存。当设置为"Unchanged"时,不改变硬盘缓存策略。

"Input/Outout(I/O)"(即创建阵列时的"I/OPolicy"),IO策略,仅当阵列卡配备有缓存时才可修改,否则固定为"DirectI/O"。当设置为"DirectI/O"时,读操作数据不会在缓存中缓冲,此为默认值。当设置为"CachedI/O"时,读操作数据会在缓存中缓冲。

"EmulationType",模拟方式。用于设置由高级格式(AdvancedFormat/AF)硬盘所组成的阵列/卷的扇区格式,默认为"Default"。如需将高级格式的硬盘强制模拟为传统512字节/扇区的格式,可设置为"Force"。

修改参数后,选择"ApplyChanges"并确认。

注意:"CurrentWriteCachePolicy"为当前缓存策略,缓存策略等参数变更需要重启服务器才生效。

八、配置CacheCade

CacheCade是一项SASRAID卡的可选高级功能,启用此功能可以使用SSD对已有阵列和卷加速。要确认CacheCade功能是否已启用,请返回"Dashboard"界面进行确认。

注意:ThinkSystem系列服务器都不支持CacheCade功能。

当SASRAID卡及SSD满足以上要求后,在"ConfigurationManagement"界面中会出现"CreateCachecadeVirtualDrive"项目。

创建CacheCade卷的操作与创建RAID卷类似,设置CacheCade的"RAIDLevel"及"WriteCachePolicy",并选择要配置为CacheCade缓存的SSD。

检查无误后,选择"CreateCachecadeVirtualDrive"保存设置。然后会提示操作完成,选择"OK"继续。

返回"MainMenu",再进入"VirtualDriveManagement"查看,已经出现了刚刚新建的CacheCade卷。

接下来要将现有阵列/卷使用CacheCade卷加速。进入已有的阵列/卷,在"Operation"中选择"EnableSSDCaching"。

选择下一行出现的"Go"。

会有确认操作,"Confirm"确认后选"Yes","OK"继续。

操作完成后,可以在该VirtualDrive的"Advanced..."中查看到CacheCade状态。

"SSDCaching"为"Enable"代表SSD缓存加速功能已启用,"CacheCadeType"为"ReadandWrite"代表读取和写入操作都会进行加速。

注意:部分旧型号SASRAID卡及CacheCade功能仅支持读取加速,即"CacheCadeType"为"Readonly"。

九、设置JBOD模式

如果不希望配置阵列,直接独立使用硬盘,可以设置硬盘为JBOD,即单盘直通模式。

首先要确认当前阵列卡是否支持JBOD模式。在阵列卡配置主界面进入"ControllerManagement",再进入"AdvancedControllerProperties",查看"JBODMode"项目的状态,如果是"Enabled"状态则表示支持。

部分型号的SASRAID卡及部分固件版本"JBODMode"项的设置可以手动更改,"ApplyChange"应用更改以后会提示需要重启服务器以切换SASRAID卡工作模式。"JBODMode"从"Disabled"改为"Enabled"切换模式后阵列卡会降为iMR模式,包括RAID5在内的高级功能将不可用,故执行操作前请务必确认,以防造成数据损失。

"UnconfiguredGood"状态和"JBOD"状态的硬盘可以任意相互转换,在"DriveManagement"界面中选中"UnconfiguredGood"状态的硬盘,在"Operation"中选择"MakeJBOD"。

然后在下一行出现的"Go"上按回车键,再确认即可。

如果要设置从该盘引导,还需要在"ControllerManagement"中的"SelectBootDevice"选取该盘。

设置从该盘为引导后,"DriveManagement"中该盘会新增"Bootable"状态。

将"JBOD"状态重置为"UnconfiguredGood"状态的步骤与上面类似,在"Operation"中选择"MakeUnconfiguredGood"。

然后在下一行出现的"Go"上按回车键,确认即可。

硬盘"UnconfiguredGood"状态和"JBOD"状态的相互转换也可以在"ConfigurationManagement"界面中操作,分别有"MakeUnconfiguredGood"和"MakeJBOD"选项,可以一次批量转换多个硬盘,操作与创建阵列时选取硬盘的步骤类似,在此不再赘述。

本节介绍导入和清除来自其他服务器上硬盘的阵列信息。

注意:进行导入和清除外来阵列信息的操作不影响本机已有的阵列配置。

进入"DriveManagement"查看是否已识别全数硬盘,且状态为"(Foreign),UnconfiguredGood"。

注意:如果要进行导入或者清除的硬盘状态是"UnconfiguredBad",请参考下一节“修复掉线的硬盘”,将硬盘状态修改为"(Foreign),UnconfiguredGood"后再行操作。

返回阵列卡配置主界面,进入"ConfigurtationManagement",再进入"ManageForeignConfiguration"。

要导入外来阵列信息,选择"PreviewForeignConfiguration";要清除外来阵列信息,选择"ClearForeignConfiguration"。

选择"PreviewForeignConfiguration"后要确认硬盘与阵列信息,确认无误后选择"ImportForeignConfiguration"。

注意:导入外来阵列信息的前提是本机SASRAID卡支持必要的RAIDLevel,而且外来阵列信息必须完整,否则会提示"NotImportable"。

接着提示会将硬盘上的外来阵列信息导入进现有配置中,确认继续。

再次进入"DriveManagement"查看,硬盘状态已变成"Online"。

在"VirtualDriveManagement"中也出现了刚刚导入的阵列。

如果选择了"ClearForeignConfiguration",也会有提示将清除外来阵列信息。确认操作后,硬盘会变成"UnconfiguredGood"状态。

本节介绍修复如在服务器运行中因误拔插所致的单一硬盘掉线的操作。

硬盘掉线会在硬盘托架上亮黄灯(不论是正常硬盘因误插拔掉线还是硬盘故障),此时对于非RAID0阵列则会处于"Degrade"状态或者"PartialDegrade"状态。

注意:如果二个及以上的硬盘掉线,导致阵列已经处于"Offline"状态,意味着阵列已崩溃。建议寻求专业数据恢复进行修复,仅当数据没有重要性时可参考本节内容进行操作。

进入"DriveManagement"查看,被误插拔的硬盘状态是"UnconfiguredBad"。进入此硬盘。

在"Operation"中选择"MakeUnconfiguredGood"将此硬盘重置为可用状态。

然后在下一行出现的"Go"上按回车键,"OK"确认。

返回阵列卡配置主界面,再进入"DriveManagement",查看此硬盘变为"(Foreign),UnconfiguredGood"状态。原因是此硬盘带有了与本机已有阵列不匹配的信息,需要进一步操作。

返回阵列卡配置主界面,进入"ConfigurationManagement",再进入"ManageForeignConfiguration"。

选择"PreviewForeignConfiguration"查看并确认信息再进行导入。

确认掉线硬盘中的信息与现有阵列的信息一致,然后选择"ImportForeignConfiguration"导入,并确认操作。

在"VirtualDriveManagement"中选择要删除的阵列/卷,并在"Operation"中选择"DeleteVirtualDrive"。

会有阵列和数据将被删除的提示,确认并继续。

当阵列卡上所有阵列都需要删除时可以直接在"ConfigurationManagement"界面选择"ClearConfiguration",该操作不对设置为JBOD模式的硬盘产生影响,也不对带有Foreign状态的硬盘产生影响。

会提示所有阵列及数据都将被删除,确认继续。

返回阵列卡配置主界面在进入"VirtualDriveManagement"查看,所有阵列已经被删除。

十四、查看阵列卡缓存大小及电池(超级电容)状态

要查看SASRAID卡的缓存大小,可以在"ControllerManagement"界面的"AdvancedControllerProperties"中"CacheAndMemory"选项中查看。如果阵列卡配有缓存,则有"MemorySize"项目并显示缓存大小。

如果阵列卡已启用CacheCade功能,并已设置CacheCade卷,在这里也会显示CacheCade的状态及可缓存数据大小。

如果阵列卡没有缓存,则没有"MemorySize"这一项。

电池(超级电容)状态在阵列卡配置主界面的"HardwareComponents"选项中,如果配有电池且状态正常,则会有"BatteryStatus"项目,状态为"Optimal"。

注意:未配备电池(超级电容)则没有"BatteryStatus"项目。

当需要给阵列增加硬盘或者将阵列转换到其他RAID级别,但不便将已有阵列删除时,可以使用阵列在线迁移和阵列在线扩容操作实现。

1、本操作对阵列及数据有较大风险,请谨慎考虑并备份数据后再行操作;

2、需要阵列卡支持阵列在线扩容和迁移及迁移后的RAID级别才可实施,亦需要符合相应RAID配置规则。

3、在扩容和迁移操作开始后,将不能中止操作,且耗时较长(取决于阵列容量及磁盘类型),请勿中途关机和断电。

本节介绍将一组RAID1阵列增加1个硬盘迁移为RAID5。

在"VirtualDriveManagement"中选择需要进行阵列扩容、迁移操作的VirtualDrive。

在"Operation"项目上按回车键,选择"ReconfigureVirtualDrive"重新配置虚拟磁盘。

在下一行出现的"Go"上按回车键继续。

在"ReconfigureVirtualDrive"界面中,"NewRAIDLevel"项目上选择RAID5,即迁移到RAID5。如果不改变RAIDLevel只增加硬盘,则保持原RAIDLevel不变。

然后选"ChoosetheOperation"继续进行操作。

在"SelectDrivers"界面中选择要加入的硬盘,与创建RAID时的类似。如果是SSD(固态硬盘)的话,也要将"SelectMediaType"设置为"SSD"或者"Both"。

选中需要加入的硬盘后,选"ApplyChange",之后会出现确认提示,"Confirm"确认后,选"Yes"继续。

回到"ReconfigureVirtualDrive"界面,选择"StartOperation"。

再次出现确认提示,"Confirm"确认后即会告知操作已经开始执行,选"OK"返回。

此时会返回"VirtualDriveManagement"界面,退回阵列配置主界面以刷新状态,再进入"VirtualDriveManagement"会看到阵列已经开始迁移,等待迁移过程完成即可。

注意:迁移过程中可以使用阵列,但阵列性能会降低并会拖慢执行进度。

SASRAID卡有多种刷新固件方式,本节介绍在HII中刷新的操作步骤。

刷新微码可以解决一些已知问题,当阵列卡出错锁定安全模式时可以尝试刷新固件解锁。

1、固件刷新操作具有一定风险,如无必要请勿任意刷新固件;

2、固件刷新一般不会影响已有阵列及数据,但建议事先做好备份再行操作。

阵列卡固件可以从联想数据中心产品支持网站上获取:

注意:下载前请先查看说明文档(.txt)及更新说明(.chg),查看微码适用范围及注意事项。

下载到固件包文件后,解压缩固件包(.zip压缩包和.exe执行文件都可以直接解压缩),并找出其中的.rom文件。

注意:对于ServeRAIDM5210等阵列卡,固件包中可能包含2个.rom文件,请查看其中的"ctlr-info.txt"确定rom文件对应关系。

将.rom文件复制到已格式化为FAT32文件系统的U盘中,并建议给U盘设置一个较短的英文卷标以便于识别。然后安全移除U盘,再插入服务器USB接口上。

回到服务器,在"Dashboard"中进入"FirmwareUpdate"。

注意:旧型号SASRAID卡及旧版本固件"FirmwareUpdate"在"ControllerManagement"中。

然后在"ControllerFirmwareUpdate"界面的"SelectFileSystem"中选择存放有.rom固件文件的U盘(卷标)。

注意:由于U盘兼容性问题,如果已确认是FAT32文件系统但无法识别U盘,请尝试更换其他型号U盘。

阵列卡会自动识别出固件文件,如果U盘中有多个.rom文件,请手动从"Selectimage"选取正确的文件。接着选择"Update"并按回车。

阵列卡会提示现有固件版本("Currentfirmwareversion")及新固件版本("Selectedfirmwareversion"),检查无误后"Confirm"确认,再选择"Yes",开始刷新固件。

1、固件可以升级或者降级。降级或者跨较大版本升级前,请先阅读发行说明以确认是否有限制条件;

刷新完成后会提示重启服务器以使新固件生效。

重启服务器后,再进入阵列卡配置界面,在"ControllerManagement"中即可看到阵列卡微码已经刷新。

注意:阵列卡固件刷新后,一些功能和警示信息可能会有变化。

THE END
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9.设置驱动模式以拍摄运动或静止的对象针对不同的拍摄任务,需要将快门设置成为不同的驱动模式。例如,要抓拍高速移动的物体,为了保证成功率,可以通过设置使相机能够在一次按下快门后,连续拍摄多张照片。 Canon EOS 750D和760D相机提供了单拍 、连拍 、静音单拍 、静音连拍 、10秒自拍/遥控 https://chuangshi.qq.com/read/916791/29
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11.模式设置UPS5000H1200kVA用户手册当“工作模式”设置为“智能在线模式”且“谐波补偿”设置为“允许”时,根据需求设置“谐波补偿输出电流THD阈值”。 >5% >5%、>10%、>20%、>30% 奇次谐波补偿配置 当“工作模式”设置为“智能在线模式”且“谐波补偿”设置为“允许”时,用户可自定义奇次谐波补偿是否使能。 https://support.huawei.com/enterprise/zh/doc/EDOC1100150701/b353993b
12.设置路由器的Wi设置路由器的 Wi-Fi 功率模式(信号强度) 方式一:通过智慧生活 App设置 手机连接到路由器的 Wi-Fi。 打开智慧生活 App,登录与路由器绑定的帐号。 在首页家居点击您需要设置的路由器,进入路由器管理页面。 点击查看更多 > Wi-Fi 管理 > 信号强度。您可以根据需要设https://www.hihonor.com/cn/support/content/zh-cn15811397/
13.朱庆华宋珊珊风险视角下生成式人工智能的司法应用路径如,辅助承办人在阅卷时实时对证据存在的问题进行标注,标注完成后自动生成问题清单,生成监督文书。此外,对于案情简单的案件,可以与既有应用系统的流程监控联用,流程监控提醒预警、权利保障提醒预警,评查案件实现全程人工智能办案、司法人员校核的履职模式。 3.优化全息在线辅助办案应用https://www.jfdaily.com/sgh/detail?id=1247369
14.说明书(专用数字式逆变焊接电源)(下)工业机器人焊接电源上电后通讯连接正常,在线模式下能设置焊接电源控制参数。 离线模式 离线模式用于焊接电源未上电或通讯连接不正常的情况。在离线模式下,焊接电源设定参数可以在机器人控制单元中单独设置。为了同步机器人控制单元与 焊接电源的设定参数,切换到在线模式后,示教器上执行自动写入功能实现参数同步。如果没有执 行自动https://www.imrobotic.com/news/detail/23693