集成电路科学与工程一级学科博士研究生培养方案（1401）
通信与电子工程学院
面向世界科技竞争最前沿，面向国家重大战略需求，以学校未来能成为世界新人才、新科技、新学术策源地的发展愿景为目标，落实立德树人的根本任务，培养德智体美劳全面发展的社会主义建设者和接班人，科学安排博士研究生的培养方案，强化博士研究生的形象思维、逻辑思维、批判性思维和创造性思维，支持博士研究生广泛参与国际合作和学术交流，培养造就德才兼备的卓越专业人才，为加快提升国家集成电路领域的可持续性快速发展提供有力的智力和人才资源支撑，为实现中华民族伟大复兴贡献力量。
二、培养目标
聚焦国家在集成电路领域的重大战略需求，以理论知识与技术实践相结合、专业技术与跨学科应用相结合的理念，致力于培养德才兼备，具有扎实专业基础、技术创新能力、工程实践和管理能力和国际化视野的高水平领军人才。
1.人才的基本定位
（1）具有广博的科技知识和坚实的集成电路专业理论基础，系统、扎实地掌握集成电路工程研究方法；
（2）有较强的科研创新、综述和科技论文写作能力，熟练地掌握计算机技术和一门以上外国语，具备进行国际学术交流的能力；
（3）全面了解集成电路领域的发展现状和动态，在集成电路领域的某个研究方向上有深入的专门知识和技能；
（4）具有独立的工作能力、创新的科研意识、积极的团队合作精神及求实的工作态度，能胜任该领域的集成电路工艺与器件、集成电路设计与系统应用和集成电路配套材料与器件等的研究、制造、设计开发与应用工作。
2.对毕业生综合素质的要求
具有广博的集成电路设计、工艺与制造等领域科技知识和坚实的理论基础，掌握半导体产业通用的技术和工具，在集成电路领域的某研究方向上具有深入的专门知识，有较强的科技创新能力，具备独立承担并完成科研任务能力以及一定的项目管理能力，具有创新意识和协作精神，能熟练地掌握计算机技术和一门以上外国语，能独立地从事该领域的教学、科研和高新技术开发工作并做出创造性成果的德、智、体、美、劳全面发展的高层次专门人才。
3.人才的培养特色
遵循“行业指导、校企合作、分类实施、形式多样”原则，以需求和问题为导向、以素质和能力培养为重点，通过构建集成电路产教融合共同体，强化科研育人、实践育人功能，切实提升学生深入全面的科研能力和解决复杂工程问题的能力。
三、二级学科（专业）
四、毕业与学位要求
毕业与学位授予要求（一级指标）
二级指标点（观测点）及其内涵阐述
1.课程及学分
1.1学位公共课：普博生≥5学分；硕博生≥8学分；本博生≥7学分。
1.2跨一级学科课程不少于2学分。
1.3学位基础课：普博生≥2学分；硕博生/本博生≥5学分。
1.4学位专业必修课：普博生≥2学分；硕博生/本博生≥8学分。
1.5学位专业选修课：普博生≥2学分；硕博生/本博生≥4学分。
2.培养过程
2.1学术活动：参加各类学术讲座、论坛、竞赛、毕业答辩、电子展等活动不得低于30次，其中参加学术讲座不得低于10次。
2.2考核与分流：培养期间需要通过年度报告、资格考试、开题报告、科研训练、中期考核等各项考核，不达标者需要按照相应的规定予以补正。
3.学位论文
3.1论文选题：论文选题必须是本领域的前沿性科学和技术研究，可以是基础研究或应用基础研究，也可以是产学研合作课题，论文须有自己的见解或特色。
3.2创新成果：研究生在读期间需要取得一定的科研成果（见创新成果考核要求），经导师同意后方可答辩。
3.3论文预答辩：论文外审前必须进行论文预答辩，预答辩合格者，以及基本合格者，经导师同意后，可进入评阅盲审等后续环节。预答辩不合格者，必须根据预答辩小组意见，全面修改论文后重新进行预答辩。
五、学习年限与培养方式
1.学习年限
（1）普通博士研究生基本学习年限为4年，最长学习年限为6年。
（2）硕博连读研究生基本学习年限为5年，最长学习年限为7年。
（3）本科直博研究生基本学习年限为5年，最长学习年限为7年。
2.培养方式
导师负责制与导师小组（主导师加副导师）指导相结合。鼓励、支持和推动跨学科、跨专业的培养方式，在需要和可能的前提下，也可采取和国内外同行学者或学术单位联合培养的方式。
六、课程体系及学分要求
1.学分要求
（1）普通博士研究生修读总学分≥13学分。各类别学分要求如下：
学位公共课（必修）5学分，学位基础课2学分，学位专业课（必修）≥2学分，学位专业课（选修）≥2学分，跨一级学科课程≥2学分。
（2）硕博连读研究生修读总学分：≥27学分。各类别学分要求如下：
学位公共课（必修）6学分，学位公共课（选修）≥2学分，学位基础课5学分，学位专业课（必修）8学分，学位专业课（选修）≥4学分，跨一级学科课程≥2学分。
（3）本科直博研究生修读总学分≥26学分。各类别学分要求如下：
学位公共课（必修）5学分，学位公共课（选修）≥2学分，学位基础课5学分，学位专业课（必修）8学分，学位专业课（选修）≥4学分，跨一级学科课程≥2学分。
（4）补修课程要求：跨学科入学的研究生，应当在导师指导下补修本学科硕士研究生或本科专业的有关课程，所得学分记为非学位课程学分，不计入培养方案总学分。
（5）港澳台博士生可免修学位公共必修课《中国马克思主义与当代》，代之以修读《中国概况》。
（6）国际留学博士生可免修学位公共必修课《中国马克思主义与当代》、《第一外国语》，代之以修读《中国概况》或《中国文明导论》和汉语课程等有关课程。以外语为专业教学语言的学科、专业的留学生毕业时，中文能力应当至少达到《国际汉语能力标准》三级水平。
2.课程体系
课程
类别
课程编号
课程中英文名称
学分
开课
学期
普博
硕博连读
本科
直博
学位公共课
TYKC0321101001
中国马克思主义与当代
ChineseMarxismandContemporaryWorld
2
秋
必选
TYKC0611101006
新时代中国特色社会主义理论与实践
TheoryandPracticeofSocialismwithChinesecharacteristicsinthenewera
TYKC0611101003
自然辩证法
TheOutlineofDialecticsofNature
1
外国语
English
春/秋
研究伦理与学术规范类课程
DisciplineandEthicsinAcademicResearch
通识选修类课程
学分要求：普博生≥5学分；硕博生≥8学分；本博生≥7学分；
学位
基础课
ETST3611102016
现代半导体器件物理
ModernSemiconductorDevicePhysics
3
春
至少二选一
ETST3611102030
VLSI工艺技术
VLSIProcessTechnology
学分要求：普博生≥3学分；硕博生/本博生≥6学分；
学位专业课（必修）
ETST3611102014
微机电系统
FoundationsofMEMS
至少三选一
ETST3611102008
数字集成电路与系统设计
DigitalIntegratedCircuitandSystemDesign
ETST3611102001
模拟集成电路与系统设计
DesignofAnalogIntegratedCircuitsandSystem
学分要求：普博生≥2学分；硕博生/本博生≥8学分；
学位专业课（选修）
ETST3611102038
低维半导体器件表征与测试
LowDimensionSemiconductorDevicesandtheirCharacterizations
选修
ETST3611102018
新型实用传感器技术
SensorTechnology
ETST3711102031
半导体光电子学
SemiconductorOptoelectronics
ETST3611102003
混合信号CMOS集成电路设计
CMOSMixed-SignalIntegratedCircuitDesign
ETST3611102035
CMOS射频集成电路设计
TheDesignofCMOSRadio-FrequencyIntegratedCircuits
ETST3711102002
集成电路EDA设计与应用
DesignandapplicationofintegratedcircuitEDA
EI3712202006
半导体器件与芯片可靠性
ReliabilityofSemiconductorDevicesandChips
MEI00022202010
集成电路前沿
FrontierSeminaronIntegratedCircuits
学分要求：普博生≥2学分；硕博生/本博生≥4学分
跨一级学科课程
跨一级学科选修课
学分要求：普博生/硕博生/本博生≥2学分
非学位课程
修读培养方案要求以外的课程，如补修本专业本科课程等，不计入培养方案总学分。
总学分
普通博士研究生
≥13学分
硕博连读研究生
≥27学分
本科直博研究生
≥26学分
七、培养环节考核
一
二
三
四
五
六
七
八
九
十
十一
十二
普
博
生
年度报告
资格考试
开题报告
学术活动
中期考核
预答辩
答辩
硕
硕士
开题报告学术活动中期考核
年度考核
直
年度
报告
科研训练贯穿始终
1.年度报告
（1）考核要求
年度考核由院系统一组织实施，博士生向由导师和导师组组成的考核小组汇报本学年的学习及科研进展，并提交书面总结报告。每学年结束前完成。
（2）考核结果及分流说明
2.资格考试
（1）准入条件
博士研究生在课程学习结束，修满本专业规定的学分后，方可申请参加资格考试。
（2）考核要求
资格考试由院系统一组织。学科设立资格考试小组，资格考试小组由学位评定分委会指定至少5名博士生导师或具有正高级专业技术职务的专家组成，设组长1名，另设秘书1名。采取综合考试与面试相结合的方式考核。
（3）考核结果及分流说明
资格考试的结果分为通过、不通过。通过资格考试的博士生，方可进行论文开题。第一次未通过者，一年后参加第二次资格考试。第二次仍未通过者（含主动放弃者），普博生按肄业处理；直博生、硕博连读生可申请转为同专业硕士生培养，且须至少学习1年，通过硕士论文答辩，达到学位授予条件者，可获得硕士学位，颁发硕士毕业证书。
3.开题报告
开题报告的结果分为通过、不通过。开题结束后，博士生将开题报告表提交院系备案。未通过者，可申请在3个月后进行第二次开题，第二次仍未通过者，按肄业处理。研究过程中，如论文课题出现重大变动的，应重新组织开题。
4.科研训练与学术活动
学术活动审核，包括各类学术讲座、论坛、竞赛、毕业答辩、电子展等活动。参加活动的数量不得低于30次，其中参加学术讲座不得低于10次。
由研究生导师根据研究生提交的有关报告、材料并结合实际表现给出合格、不合格的评判。
5.中期考核
中期考核主要包括课程修读、年度报告、资格考试、开题报告、学术活动等环节的完成情况。中期考核由院系统一组织，考核小组成员不少于3名，需具有副高或以上职称。
以上各环节考核通过者，中期考核通过，否则为不通过。中期考核通过者，方可申请论文预答辩。
6.论文预答辩
论文外审前必须进行论文预答辩。经指导教师同意，可进行论文的预答辩工作。
八、创新成果考核
1．在SCIE收录期刊发表学术论文2篇（含录用）。另须发表1篇EI检索论文或者国内核心期刊论文1篇（含录用）,或者申请国家发明专利1项（学生为第一作者，或者导师为第一作者、学生为第二作者，华东师范大学为第一申请单位）。
2．在影响因子IF≥3（过去三年平均）的SCIE收录期刊发表学术论文1篇（含录用）。另须发表1篇EI检索论文或者国内核心期刊论文1篇（含录用）,或者申请国家发明专利1项（学生为第一作者，或者导师为第一、学生为第二作者，华东师范大学为第一申请单位）。
3．在影响因子IF≥5（过去三年平均）的SCIE收录期刊发表学术论文1篇（含录用）。
备注：在答辩前至少有一篇论文已在线发表。
4．其他由学位分委会认可的科研成果。
九、学位论文要求
1.论文选题
博士学位论文可以是基础研究或应用基础研究，也可以结合科研攻关任务或与企业公司合作从事应用开发研究，但须有自己的见解或特色。选题必须经过认真全面的调研，查阅大量文献资料，了解研究领域的前沿技术、发展趋势及选题的社会及经济效益，在此基础上确定自己的学位论文题目。
2.论文开题
3.论文撰写
十、必修课程教材
课程名称
选用教材（含教材、教学参考书）
教材：《现代半导体器件物理》，施敏编著，科学出版社，2002年。
《现代集成电路半导体器件》，胡正明编著，电子工业出版社，2012年。
教材：《集成电路制造工艺与工程应用》，温德通著，机械工业出版社，2019年10月。
《半导体器件原理》，黄均鼐等著，复旦大学出版社，2020年7月再版。
《硅超大规模集成电路工艺技术理论、实践与模型》（英文版），JamesD.Plummer，电子工业出版社，2003年，第1次印刷，ISBN7053-8638-7。
教材：《微系统设计与制造》，王喆垚编著，清华大学出版社，2008年。
参考书：《MicrosystemDesign（中译本：微系统设计）》，StephenD.Senturia著，刘泽文、王晓红、黄庆安等译，电子工业出版社，2004年。
教材：《数字集成电路设计-从VLSI体系结构到CMOS制造》，HubertKaeslin，人民邮电出版社，2011年。
代表性教学参考书：《CMOS超大规模集成电路设计》（第四版），NeilH.E.Weste,电子工业出版社，2011年。
教材：《模拟CMOS集成电路设计》（第二版），BehzadRazavi著，陈贵灿等译，西安交通大学出版社，2018年。
《CMOS模拟集成电路设计》（第二版），PhilipE.Allan著，冯军译，电子工业出版社，2005年。
《AnalysisandDesignofAnalogIntegratedCircuits》（第四版），PaulR.Gray，高等教育出版社，2003年。
《模拟集成电路设计精粹》，WillyM.C.Sansen，陈莹梅译，清华大学出版社，2008年。
十一、基本文献阅读书目
1.WayneWolf.ModernVLSIDesignSystemsonSiliconVLSICircuits.Sci.Press&PearsonEducationNorthAsiaLimited,2002.
2.JanM.Rabaey.DigitalIC--ADesignPerspective．Prentice-Hall,1996.
3.PhillipE.Allen.DouglasR.Holberg.CMOSAnalogCircuitDesign.OxfordUniv.Press,Inc,2002.
4.N.H.E.Weste,K.Eshraghian.PrinciplesofCMOSVLSIDesign.Addison-WesleyPublishingCompany,1993.
5.J.Lee.SubmicronDevicePhysicsandTechnology.Univ.ofTexasPubl,1996.
6.ThomasH.Lee.TheDesignofCMOSRadio-FrequencyIntegratedCircuits.CambridgeUniv.Press,1998.
7.KAL,PracticalLowPowerDigitalVLSIDesign,1998.
8.AdvancedSemiconductorandOrganicNano-Technique.AcademicPress,NewYork,2002.
9.Ferry,D.K.andBird,J.P.ElectronicMaterialsandDevices.AcademicPress,SanDiego,2001.
10.Duke,C.B.TunnelinginSolids.AcademicPress,NewYork,1969.
11.Ferry,D.K.,QuantumMechanics,2nded.,InstPhysPubl,Bristol,2001.
12.RSMuller,MEMS,Micro-sensorandMicro-actuators,2001.
13.Blakemore,J.S.,SemiconductorStatistics,PergamonPress,NewYork,1962.
14.BehzadRazavi,DesignofCMOSIntegratedcircuits,2nded.,2018
15.Yung-ChunWu,3DTCADSimulationforCMOSNanoelectronicDevices,2018
16.韩郑生译.芯片制造：半导体工艺制程实用教程（第六版）.电子工业出版社，2015.
17.WayneWolf著.现代VLSI电路设计.科学出版社，2000.
18.MuhammadH.Rashid著.微电子电路分析与设计.科学出版社，2000.
19.张海洋等，等离子体蚀刻及其在大规模集成电路制造中的应用，清华大学出版社，2018.
20.King-NingTu等.电子薄膜科学.科学出版社，1997.
21.施敏.现代半导体器件物理.科学出版社，2002.
22.李名复.半导体物理学.科学出版社，2001
23.黄昆.谢希德.半导体物理学.科学出版社，1958（2012印刷）
24.周志华.机器学习，2016
25.王阳元.集成电路产业全书，2018
26.集成电路测试指南，2021
27.张汝京.纳米集成电路制造工艺（第2版），2017
28.温德通.集成电路制造工艺与工程应用，2018
29.Ho-MingTang.电子封装技术丛书--先进倒装芯片封装技术，2017