竞争往往能带动发展，这一激烈的竞争推动了充电技术的不断升级，使其越来越适应日常生活的需求。这种竞争带来的结果就是在充电速度上不仅有着显著提高，而且在充电过程的效率、兼容性和便捷性方面也有了显著改进。这不仅使人们的日常生活更加便利，还为未来的可持续能源和绿色科技发展打下坚实基础。
充电头网综合总结了今年第三季度的行业动向，可为人们提供更加清晰的洞察，能够更加全面的了解行业的发展趋势和现状。此快充行业近况总结不仅可以为业内从业者提供有力的信息支持，还可以帮助广大消费者更好的了解和评估快充行业技术的发展和演变。
SC2155A是一款Type-C/PD和DPDM快速充电控制器，集成了内部反馈补偿。符合最新的TypeC和PD3.1标准，并支持专有的高压快充协议与DPDM接口。支持UFCS快充协议。
SC2155A通过集成USBPD基带PHY、Type-C检测、DPDMPHY、VBUS放电路径、VCONN电源、可编程反馈补偿、电压和电流传感、10位高性能ADC、用于CC/CV调节的双10位dac、NMOS门驱动器、I2C接口、UART接口和保护电路，从而最大限度地减少了外部组件。
SC2155A集成了一个32位高性能微控制器核心，具有48k-Byte的MTP和3k-Byte的RAM，为许多应用程序提供了高效的解决方案。SC2155A预留独立空间存储芯片ID码，满足客户精准的防伪溯源需求。
SC2155A支持过压保护(OVP)、欠压保护(UVP)、过流保护(OCP)、短路保护(SCP)、过温保护(OTP)、DPDM过压保护(DPDMOVP)、CC过压保护(CCOVP)、VCONN过压保护(VCONNOVP)、VCONN过流保护(VCONNOCP)、VCONN短路保护(VCONNSCP)等多种保护机制，有效保证系统稳定可靠运行。
SC2155A采用24-pinQFN4mm×4mm×0.75mm封装，可广泛应用于墙壁适配器、旅行适配器等领域。
SC2101B是一款DPDM快速充电控制器，采用DPDM接口，符合目前最流行的高压快充协议。
SC2101B集成了VBUS放电路径、可编程反馈补偿、电压传感、10位高性能ADC、双10位DAC、I2C接口和保护电路，从而最大限度地减少了外部组件。SC2101B集成了嵌入式32位高性能微控制器，具有24k-ByteOTP和2k-ByteRAM，为许多应用程序提供了经济有效的解决方案。
SC2101B支持过压保护、欠压保护、过流保护、短路保护、过温保护、DPDM过压保护、短路保护等多重保护机制，有效保证系统稳定可靠运行。
SC2101B采用SSOP-10封装，友好兼容单层板布局，为极致成本打下坚实基础,可广泛应用于墙壁适配器和电源板等应用。
南芯科技POWERQUARK系列产品，整合5大技术，实现5种功能，超越95%效率，给设计者和用户带来了前所未有的极致体验：
南芯POWERQUARK系列65W1C方案
L*W*H：46mm*27.5mm*23mm
功率密度：2.23W/cm^3/PCBA
（1）自研全集成封装技术
（2）次级控制软开关技术
（3）次级控制主动式同步整流技术
（4）高速隔离数字通讯技术
（5）多标准快充协议兼容技术
英集芯推出了一款专为多串锂电池充电的升降压SOC芯片IP2363，这款芯片内置PD3.0协议，支持使用PD快充和DP&DM快充供电，支持5-20V输入电压。在输入电压低于，等于或者高于电池组电压时，都可以将输入电压转换为适合的电压，为电池组充电。
IP2363支持为2-5串的锂电池组充电，基本涵盖手持电动工具电压范围。支持三元锂电池和磷酸铁锂电池使用，电池节数和充电功率均可由电阻配置，设置简单。最大充电功率为30W，支持自适应充电电流调节。
通过使用IP2363同步升降压SOC芯片，搭配同步升降压MOS管和电感以及电容和电阻元件，即可组成内置在电池组中的充电电路。通过使用PD快充充电器直接为电池充电，省去专用充电器的制造和认证成本，并且降低电动工具成本，也减少包装体积，减少包装材料的应用。
英集芯IP2363升降压SOC芯片延续了家族升降压产品的精简设计，芯片内部集成快充取电功能，电池充电管理和同步升降压控制器，无需外置芯片即可实现全部功能。此外，IP2363还支持定制I2C功能，通过芯片内置的14位ADC，测量输入电压和电流，电池的充电电压和电流信息。
IP2363还集成输入过压、欠压保护，电池过充、过流保护，支持外接热敏电阻进行电池温度保护和芯片过热保护功能。
图为英集芯IP2363电池充电应用原理图，为四管单电感设计，电池节数，充电截止电压和充电功率均可简单的由电阻进行配置，满足不同使用需求。IP2363还支持DC适配器供电使用，支持多种输入方式。
英集芯IP2363采用QFN32(5x5mm)封装。
充电头网获悉，业内知名快充芯片原厂英集芯科技，推出了首款集成UFCS融合快充协议的快充移动电源SOCIP5385，这款芯片将常见移动电源中的快充协议芯片，MCU，同步升降压控制器全部集成在一个封装内部，支持2-4串三元锂电池和磷酸铁锂电池应用，搭配MOS管和电感，即可组成双向65W快充移动电源，从而满足高性价比的快充需求。
英集芯IP5385延续了IP5389同步升降压SOC的全部功能，芯片同时支持2个USB-A口输出，支持一个双向USB-C接口，还支持MicroUSB接口或者Lightning接口输入，任意接口均支持快充，支持UFCS融合快充，支持PD3.0快充，支持华为SCP，FCP快充等其他快充协议，具有非常好的兼容性。
IP5385内置双向同步升降压驱动器，内部集成电荷泵，支持使用高性能NMOS用于开关管和路径管理。只需一颗芯片搭配电感和同步开关管，以及对应接口的路径管理管，即可组成完整的2-4串电池，多接口的大功率快充移动电源。芯片支持65W充放电功率，满足移动电源，储能电源以及便携设备和电动工具应用。
芯片内置输入过压欠压保护，输出过压，过流和短路保护，电池过充，过放和过流保护，支持外接NTC进行电池温度保护，内置芯片过热保护。数据引脚耐压30V，并具备ESD保护。
英集芯IP5385应用原理图，对应各个接口使用VBUS开关管，同步升降压电路四颗开关管，芯片内部集成NMOS驱动器，方案集成度高，有效降低BOM成本。支持数码管电量显示和四灯LED电量显示，支持通过电阻设定电池容量，实现精准的电量显示。
电池节数，电池电压，电池容量以及最大输入输出功率参数均可通过电阻设置，无需软件开发并且支持功能定制，IP5385这颗SOC芯片最大程度简化了移动电源开发难度，降低开发成本和生产成本。
珠海智融科技股份有限公司是终端快充行业协会高级会员单位，旗下的SW2325快充协议芯片此前成功通过了UFCS1.0，输出5V/10V/20V可编程融合快速充电功能认证，证书编号0302247161601R0M-UFCS00011，成为首批通过此项认证的协议芯片产品。
智融科技SW2325于2022年9月27日正式通过UFCS认证，证书有效期至2024年9月26日。
智融SW2325是一款高集成度的Type-C口/Type-A口快充协议控制器，内嵌ARMCortex-M0内核，最高工作频率为40MHz，内置64KBeFlash、4KBSRAM，并支持I2C和UART通用外设接口。芯片内置多种安全保护功能，配合ACDC或DCDC以及少量的外围元器件，即可组成完整的高性能的Type-C口/Type-A口快速充电解决方案。
SW2325集成了Type-C接口逻辑，USBPD、SCP以及QC/PE/SFCP/TFCP等快充协议的检测电路，并集成光耦反馈和FB反馈驱动电路、NMOS和PMOS驱动电路以及CV/CC控制环路。
近期充电头网了解到，智融科技的多口充旗舰芯SW3566H也于2023年6月27日通过了UFCS1.0，输出5V/10V/20V可编程融合快速充电功能认证，证书编号0302347160982R0M-UFCS00044，证书有效期至2025年6月26日。
智融科技SW3566H是一款高集成度的多快充协议双口充电SOC芯片，支持USB-C和USB-A接口充电，并支持双口独立限流。芯片内部集成了高效率同步降压转换器，支持20V7A和28V5A输出，支持PD3.1/QC/SCP/UFCS等快充协议，支持快充协议定制，最大支持140W输出功率。
智融科技SW3566H集成了CC/CV模式，双口管理逻辑和母线电压检测，单芯片实现双C口输出。芯片内置的降压转换器工作频率为125KHz、180KHz、333KHz、500KHz，支持PWM和PFM工作模式。输出电流，线损补偿等保护阈值均可通过I2C接口进行设定，内置的ADC可实现输入输出电压，输出电流，芯片温度等9个通道的数据采样，支持外接MCU进行参数显示。
SW3566H最高支持36V输入电压，最高输出电流7A，芯片内置软启动，输入过压/欠压保护，输出过压/欠压保护，输出过流/短路保护，DP/DM/CC过压保护，芯片过热保护和外接NTC热敏电阻保护，以及限功率保护。芯片采用QFN4*4-32封装。
智融SW3561是一颗支持双USB-C口输出的降压SoC芯片，芯片内部集成高效率同步降压控制器，支持20V5A功率输出，并支持USBPD3.1SPR。芯片内部集成ARMCortex-M0内核，集成Type-C逻辑，支持PD3.1/QC/SCP/UFCS融合快充等快充协议，支持快充协议定制，支持100W功率输出。
智融SW3561内部集成降压转换器，双USB-C口通路控制，母线电压检测，搭配两颗同步降压开关管和VBUS开关管即可实现双口降压输出。芯片内置的降压转换器默认工作频率为180KHz，支持定制工作频率，满足小体积设计。
芯片具备I2C接口，输出电流，线损补偿等保护阈值均可通过I2C接口进行设定，内置的ADC可实现输入输出电压，输出电流，芯片温度等9个通道的数据采样，支持外接MCU进行参数显示。SW3561内置的MCU支持自动功率控制，多口降压快充应用时不再需要外置MCU，电路更加简洁。
SW2505H是一款集成PD3.1、QC、UFCS等全协议支持的低功耗控制器芯片，通过了USBPD3.1EPR认证，支持DRP模式，内嵌MCU，拥有16路GPIO，C口支持在线升级，支持在线仿真调试，支持光耦/FB控制/I2C支持主从模式。
SW2505H内部集成了高效的40MHzCortex-M0处理器、大容量Flash和SRAM存储、多种通信接口(I2C、UART)以及GPIO和GPADC支持，具备低功耗设计，支持3.3~32V调压控制以及0.3~12A输出限流控制，具有多种反馈控制方式以及母线电压检测，内部集成CV、CC环路和VIN、VBUS快速放电以及NMOS驱动电路，为系统提供高度稳定和可靠的电源管理。
SW2505H支持DPDM双向快充协议，允许充电器与设备之间进行双向通信、共享信息，支持BC1.2、PD3.1DFP/UFP、DRP等规范以及集成Type-C接口逻辑，支持多种快充协议以及私有协议定制功能，支持死电池激活以及低功耗检测模式，可智能协调最佳充电参数，满足不同设备的需求，提供高效充电和数据传输。
SW2505H具备全面的保护机制，包括输入/输出电压保护、过流保护、过压保护、欠压保护、过温保护等，有效保障设备的安全与稳定。
智融SW2505H芯片实物特写。
CV753是一微星2022年推出的产品，目前已在客户端批量。CV753是一款最高耐压36V，支持USBPD3.1EPR&SPR及主流快充协议的单口快充协议芯片，同时具备端口休眠、多重保护等功能，也预留了多个I/O，为用户提供高效、智能和可靠的充电体验。
图3CV753规格书
协议丰富
CV753除了集成了PD3.1快充协议，可实现最高140W（28V/5A）的充电功率之外，还支持市面上主流的快充协议，包括高通QC5.0以及往代协议、华为FCP/SCP协议、三星AFC协议以及BC1.2/Apple2.4A/Samsung2A协议，可兼容更加广泛的设备。
外围简洁
得益于CV75336VVIN高耐压特点，用户在设计28V/5A系统的时候，VIN可以直接接到IC供电端。并且CV753支持直接驱动NMOS和OPTO直连反馈功能，外围相当简洁。
灵活性高
CV753支持多个I/O控制，能满足客户各种使用场景的需求。例如轻载时通过I/O控制关闭初级PFC，可提高系统待机功耗和轻载效率；再例如支持NTC侦测功能，一旦侦测到局部温度过高，CV753可以进入降功率模式，温度降低后，又可自行恢复满功率模式。
设计简便
CV753采用QFN-284mm*4mm封装，结构非常紧凑，可使用于各种充电适配器、车载充电器以及支持快充充电协议输出的各种系统应用中。
图4CV753实物图
1、谷底锁定，锁住能效、赶走噪声
KP2208X在LowLine下最多锁定5个谷底，在Highline下最多锁定6个谷底。在高频设计下，谷底锁定功能可以防止谷底跳动，避免噪声，同时带来最优的转换效率。此外，谷底锁定也是搭配ZVSSR的必须功能；借助副边SR来实现ZVS开通，QR反激的设计频率、效率和EMI性能都能得到显著的提升。
ZVSSR基本原理
2、最高工作频率130kHz和220kHz两档可选，更多设计空间
KP2208X最高频率配置
KP2208X复用CS管脚以设定系统最高工作频率，CS管脚连接如上图所示。芯片启动时，KP2208X通过检测RSEL电阻从而决定芯片最大工作频率。设定不同的RSEL电阻值即可选择两档不同的系统工作频率上限。选档判定结束后系统锁定，每一次启动都伴随一次判定。推荐的RSEL电阻值与最大工作频率的关系见下表。
3、轻载SR应力优化，更多裕量、更多安心
一般QR反激SR应力表现
在一般的QR反激电源系统中，SRMOSFET在空载条件下的电压应力反而高于重载，导致SR电压应力裕量不足；如上图所示，空载SR电压应力达到了94.8V，选用100VSRMOSFET应力裕量不足。这是因为满载工作时，原边MOSFET在振荡谷底开通，开通点Drain电压为Vbus-N*Vo*k(其中k<1)；而空载工作时，原边MOS开通点Drain电压为Vbus。原边MOS开通时反激电源的寄生振荡等效于二阶LC谐振模型，原边MOS开通点Drain电压越高，相当于给二阶LC模型更大的阶跃输入；SR的电压应力可等效于对阶跃输入的响应，输入越大，电压应力也越高。
KP2208X优化轻载SR电压应力的原理
如上图所示，KP2208X在轻载时，自动调慢了原边GaN的驱动电流，使得SRMOSFET在轻载的电压应力降低，同时又不至于影响满载的效率。
上表展示了33W快充电源的应力测试结果，在265Vac输入、20W输出的条件下，SR在空载的电压应力只有81.6V，在满载的电压应力是90.8V。
4、驱动电流四档可选，EMI裕量和效率裕量可灵活转化
KP2208XCS负压采样
为了保障GaNFET工作的可靠性和高系统效率，KP2208X内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为6.2V。KP2208X的CS采用负压采样，电流采样电阻Rcs在GaN驱动回路之外，GaN的驱动电压更加稳定、可靠！
EMI性能为高频AC-DC转换器的设计难点，为此KP2208X通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。如上表所示，通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaNFET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。
其中，档位2轻载时候驱动电流不会自动调节，档位1、3、4轻载时驱动电流自动变小以优化SR的电压应力。
5、定制ESOP-7封装，接近SOP-8的成本、媲美DFN5*6的散热能力
必易微定制的ESOP-7封装，更适合集成E-ModeGaN，散热能力媲美DFN5*6，价格则有潜力跟SOP-8做到接近。上表是以33W快充作为验证平台，对比ESOP-7和DFN5*6的温升，可以看到两者的温升非常接近。
6、集成完备的保护功能
KP2208X还集成完备的保护功能，包括：VDD欠压保护、VDD过压保护、输入欠压保护(LineBOP)、输出过压保护(OVP)、逐周期电流限制(OCP)、异常过流保护(AOCP)、过载保护(OLP)、输出过流保护(SOCP)、内置过热保护(OTP)、CS管脚开路保护等。
当输入电压低于额定90Vac输入规格时，电源有可能还会继续工作，此时电源的热应力和电流应力会高于额定输入条件，有损坏的风险。KP2208X集成的LineBOP保护，可以保证GaN的电流应力不超过Maximumrating，从而保证GaN的可靠工作。
最近易冲半导体推出了全新一代快充协议ICCPS8849，它具有多种封装，支持市面主流快充协议，可用在墙插类AC/DC和DC-DC车载电源等单C和多口扩展产品中。
本期，小编将为大家详细介绍产品的：8点关键性能，4大功能亮点和3项技术特色。
■支持PD3.1，UFCS，SCPA/B，QC2.0/QC3.0，VFCP，AFC，AppleMode
■集成MTP，可通过Type-C进行软件升级
■输出电压范围3V-22V
■集成高精度恒压环(CV)和恒流环(CC)，以满足PPS，UFCS协议电压电流精度规范
■支持Opto和FBControl
■12位高精度ADC采样
■多组GPIO和I2C，丰富外围应用及多口扩展
■集成初级AC电压侦测和输出Mosfet阻抗异常侦测
BPD93036，支持原生1~16相Buck控制器，双路输出，数字方式控制，采用QFN7*7封装。
整体体积非常小巧紧凑，可大大减少PCB占用空间和节省开发成本。
BPD93036DemoBoard
BPD93036有如下产品优势：
更智能：一键触达，随“芯”而动！配套自主开发的BPStarGUI软件，数字控制，操作简单，让应用体验更智能；强大的Monitor功能，时时侦测和记录芯片的工作状态。
测试连接图
更灵活：集成了PMBUS、AVSBUS、PWMVID等多个协议，满足客户各种应用方案的国产品牌替换。
更强大：同时支持双路输出，Rail1最大16相，Rail2最大8相，如16+0、8+8的输出组合，灵活配置，满足客户不同应用需求，支持电流型DrMOS，带来高性能运行体验。
双路输出应用线路图
更稳定：数字控制方式，自动环路补偿功能，加快了瞬态响应能力，增强了系统的稳定性。
更安全：拥有可编辑的OCP、OVP、UVP、OTP、VINOV、OCW#、VRHOT#、DrMOSFault等各种保护功能。
APSfunction
多功能：AutoPhaseShedding（APS）功能可以自动根据负载的大小调节控制器工作的相数；Interleaving+功能可以调节PWM相位，有助于降低输入纹波，减少输入电容的数量；Coupleinductor(CP)模式支持耦合电感，以提高纹波和瞬态效能；TLVR模式，支持最新的跨电感电压调节器(TLVR)技术，实现更快的瞬态响应，不仅为CPU提供卓越的电源性能，还帮助客户轻松通过CPU测试规范，减少电容数量、降低BOM成本。
BPD93010，支持原生1~10相Buck控制器、数字方式控制、小封装（QFN5*5），在大电流高功率的计算领域抢占电源管理芯片国产化的先机。在国内实现了从单相到多相、从模拟控制到数字控制的飞跃，大电流技术从此迈上1000A数量级，摘取DCDC领域“皇冠上的明珠”。
BPD93010有着诸多的产品优势。
更智能：一键触达，随“芯”而动！配套自主开发的GUI软件，数字控制，操作简单，让应用体验更智能；强大的Monitor功能，时时侦测和记录芯片的工作状态。
更灵活：既能通过更换外围R/C器件、也可通过改变一些数字配置来实现很多关键功能；工作界面支持自定义设置，给用户带来更灵活的应用可能。
更强大：同一颗芯片既可以支持传统的DCR功率检测、满足低成本的分离方案，也支持更加简洁而高效的DrMOS功率级方案。
更安全：拥有可编辑的UVLO、OTP、OCP、UVP、OVP、VINOVP和VINUVP等各种保护功能。
更便宜：更少的外围R/C电子元器件配置，节省了更多BOM成本，增强了系统的功率密度。
多功能：支持PMBUS/I2C等多种调压协议；独有的MultiCFGDetection功能，只需要改动外围某些电阻的阻值，即可解决数字芯片料号管控复杂的难题；独有的FaultMonitors功能，只需要简单量测某些Pin脚的电压值，即可协助判断芯片的工作状态，大大方便了工程师Debug；AutoPhaseShedding功能可以自动根据负载的大小调节控制器工作的相数；Interleaving+功能可以调节PWM相位，有助于降低输入纹波，减少输入电容的数量等。
PDG1是一颗高集成度的PD3.1控制芯片，集成两路同步降压转换器和两路PDController，支持PD3.1(28VEPR)、UFCS、AFC、FCP、SCP、QC3.0/2.0、BC1.2、Applecharging2.4A等协议，可以支持双C口或A+C口输出，任意单口或双口输出条件下，支持最大功率为140w。PDG1集成ARM内核，支持系统功率动态分配，仅需少量外围器件即可实现充电器、车充、充电宝、储能等应用。
PDG1的Cortex-M0主频为20MHz，具备32KB存储空间的MTP、有着最多14个GPIO，显著降低功耗，支持UART/SWD/I2C等主从模式，内置12bitADC且支持PWM调制，同时集成两路同步降压转换器和两路PDController，输出电流可高达7A，输出电压为3~30V，输入电压范围为6~36V，支持CC/CV模式，可自动在恒流和恒压模式之间进行切换，以达到高效充电和保护电池的目的。
其同步降压控制器还支持双口独立限流、线损补偿、温度控制和软启动，并具有可编程的展频调制解决EMI，可有效提高系统的充电效率以及稳定性。内置了Type-C的接口逻辑，支持DFP、UFP、DRP等角色，支持Vconn供电，为设备提供强大的灵活性和兼容性。
赛迪PDG1控制芯片正反合照。
PDG1具有高度集成的产品特点，将市面上主流的快充协议包括最新PD3.1协议和UFCS协议都集成到芯片中，为产品减少开发成本，为设备提供强大的兼容性，同时内置BC1.2模块，支持动态功率分配，有着极为优秀的保护机制，可为充电产品提供高效安全的解决方案，满足多样化的用户需求。
此为赛迪PDG1控制芯片与其在PCB上的合照，采用QFN-48封装，结构非常的紧凑小巧。
图1LDR6020PD3.1SOC控制芯片
LDR6020是带有3组6路DRPUSB-C及PD通信协议处理模块和USB2.0Device模块的16位RISCMCU，拥有USBPD3.1通信功能，具有262字节非折叠PD3.1长数据包通信能力，并且可以通过CC，UART，I2C，USB2.0四种模式进行固件在线升级。
图2LDR6020芯片规格书截图
LDR6020采用QFN-324*4封装，拥有13路ADC，28位双向I/O口,1位输入口，2路PWM，可以做定制化功能设计，并且未来还会开放嵌入式云IDE开发系统。
图3LDR6020在USB-C接口显示器中的应用
LDR6020的应用场景非常广泛，比如Type-C多功能转接器，Type-C显示器，Type-C移动电源等等，并且芯片内置I2CSlave通信控制单元，UART通信控制单元，可以与其他主控芯片进行通讯协商。
图4基于LDR6020设计的PD3.1诱骗器PD09
这是乐得瑞科技基于LDR6020设计的PD测试仪PD09，支持SPR，EPR，PPS，AVS，QC诱骗功能，非常适合工程师在调试设备时进行功能测试，各位工程师可以在8月23-25日福田会展中心举办的2023年（秋季）亚洲充电展3号馆C113展位免费领取，或者也可以在乐得瑞官网主页免费申请。
图5LDR6020PPD3.1SOCPMU芯片
LDR6020P是基于SIP技术，内置3组6路DRPUSB-C及PD通信协议处理模块，两路20VVBUS控制MOS，内阻15毫欧(VGS>10V)~22毫欧(VGS>5V)，16位RISCMCU的电源管理芯片(PMU)，使得外围更加简洁，电路设计更加方便。
图6LDR6020P规格书截图
从规格书可以看出，LDR6020P，内置了LDO和两颗20V耐压的PMOS，单颗MOS的实际工作电流可以达到5A。在两颗作为串联使用时，考虑到温升问题，建议限制在3A。
图7LDR6020P采用SIP技术集成了PDController和PowerMOS
LDR6020P通过SIP技术将PDController和PowerMOS集成在一个芯片中，可以大幅度减少外部元件数量，简化电路板布局和设计，节省PCB空间、降低成本，并提高整体系统的可靠性和稳定性，为USBPD3.1应用提供高效的功率管理和控制能力。
昂宝OB2792是一颗AHB控制器芯片，用于零电压开关谐振，正常工作情况下，高侧充电周期为常规峰值电流控制，低侧开通周期由内部自适应控制环路调节。重载下，芯片在连续谐振模式下运行，轻载时进入频率折返模式，实现零电压开启，降低开关损耗。
OB2792支持过压保护，欠压保护，过流保护，开环保护，X电容放电保护，内部和外部过热保护。OB2792旨在提供高效可靠的开关电源解决方案，可广泛应用于PD电源和其他各类电源适配器。
OB2792采用SOP16封装，整体结构紧凑，有着优越的热性能和高可靠性，适用于自动化制造，便于维护，大大提高电子器件的稳定性。
CPW6410是一款高性能的多协议PD快充Buck-BoostSoC芯片，适用于移动电源应用。芯片内置2KSRAM、64KFlash，支持4.15~4.5V的电压设置，最大可支持2~8串电池、100W的充放电，以及36V的输出电压。
CPW6410集成电压、电流检测模块和12bitADC，拥有高精度的电量显示功能。适应PD3.0、UFCS等众多快充协议，支持CCA快充接口以及最高100W的功率输出。待机功耗小于150uA，内置过压、过流、短路、过温、低温以及边充边放保护等多种保护机制，并支持免拆机C口固件升级。
CPW6410具有放电效率高、功耗低、动态响应快、兼容性好的产品特性，通过了主流手机、平板、适配器的兼容性测试，20V5A输出@14.8V，效率高达96%，可广泛应用于户外电源、移动电源、电动工具、智能音箱、筋膜枪等细分应用领域。
8月24日，芯海科技旗下的多快充协议Buck-Boost电源管理芯片CPW6410成功获得“融合快速充电功能认证证书”。
DXP8001FA是一款高度集成的650V、165mΩGaNAC-DC功率转换芯片，它通过将高压GaN与AC-DC控制芯片集成在一起，有效降低了电路设计和调试的难度。这款芯片的优势在于它可以简化电路设计、减小PCB占板面积，并降低产品调试的难度。除此之外，它还具有宽VCC工作电压范围(9V-85V)，可以覆盖3.3V-21V的PD/PPS输出范围，且无需额外的VCC绕组或线性降压电路。这些特点使得DXP8001FA成为高效、紧凑、高性价比的功率转换解决方案。
DXP8001FA应用原理图
DXP8001FA具有高效、稳定、低损耗、易于使用的特点，有效提升了应用工程师的使用体验：
当VCC或输出电压超过预设阈值时，过压保护电路会立即采取行动。会立即停止芯片驱动输出并进入重启模式。这种保护措施可以有效避免电路中的元器件过载或损坏，从而避免电路故障或火灾等危险情况的发生。
发生保护，停止驱动输出,开始进入Restart过程
通过监测COMP电压，OPP保护电路判定功率是否超过设定值并采取相应的保护措施。当COMP电压超过VOPP并持续42ms以上时，芯片判定为OOP保护并进入重启模式。此保护措施能有效保护设备免受电流过载、短路等多种故障影响，增加产品可靠度与使用寿命。
在系统启动过程中，PWM控制器会发送一系列的脉冲进行各种检测，其中一项就是BROWNIN检测。在这个阶段，如果从FBPIN流出的电流大于IBIN（~95UA），那么芯片就会判定BROWNIN认定条件已经满足，然后进行正常的启动过程。如果在BROWNIN检测阶段未满足这个条件，那么在发送一系列窄脉冲之后，芯片将会重启。
如果GaN管导通3.6微秒后，CS电压仍未达到VCS_Sh（-50MV）阈值，那么芯片将被迫关闭驱动器。如果这种情祝在连续三个周期内出现，芯片将进入保护和重启模式。可以保证芯片的安全和可靠性，并防止进一步的故障发生。
发生保护，停止驱动输出，开始进入Restart过程
除了上述保护机制，DXP8001FA还提供了其他重要的芯片保护机制，包括输出同步整流短路保护、过温保护(OTP)以及逐周期最大电流限制等。这些保护机制有助于确保芯片的安全性和稳定性，提升芯片的使用寿命以及产品的可靠性。
当电源上电时，由于输出电压会瞬间上升，这可能会引起过高的电压应力，导致器件损坏或降低其寿命。为解决此问题，DXP8001FA采用多段启动方式，通过逐渐增加输出电压，根据不同负载和输出条件调整工作模式为DCM/QR。在轻载情况下，芯片将进入Burst模式以提高效率。通过采用多段启动方式和根据负载和输出条件调整工作模式，DXP8001FA能够有效地解决电源上电时的问题，并根据实际需求提供高效的电源输出。
DXP8001FA采用DFN8×8封装，有效解决了大功率段设计及应用中芯片温升较大的问题。其130KHZ的开关频率使得该芯片适用于各种需要高效率、高功率密度和良好散热性能的电源产品，如开关电源、适配器、电动汽车充电桩等。针对PD/快速充电的不同输出电压需求，它可以调整为在不同负载和输出条件下工作于DCM/QR模式，并在轻负载条件下工作于突发模式，以提高效率并满足不同能效标准的需求。
氮矽科技PD65W（2C1A）参考设计
当前，全球范围内的政府和组织都在强调能源效率提升和碳排放减少的重要性。而在节能电源中，氮化镓发挥着举足轻重的作用，其能够提高效率，降低转换过程中的功率损失。相较于传统的硅基MOSFET，GaN集成芯片在器件尺寸、导通电阻以及工作频率等方面具有显著优势。利用GaN集成技术，可以缩小解决方案的整体尺寸，提升效率；同时降低设计难度，使设计人员能够设计出更高效、紧凑的电源解决方案。
DXP8001FA充分结合高效率、高功率密度、高可靠性和高开关频率等特性，打破了传统AC-DC转换器的局限，极大地简化了AC-DC转换器的设计和制造过程。
总的来说，第三季度对于快充行业来说，是一个充满希望和活力的时期。充电头网期待在未来看到更多的创新，更广泛的应用，以及更加可持续的快充解决方案的出现。